Как заменить полевой транзистор на биполярный

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам . Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.

Биполярные транзисторы.

Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы – частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора. При этом граничная fгр. МГц (эта та на которой его коэффициент усиления равен единице) частота транзистора должна быть больше реальной частоты на которой работает устройство, желательно, во много раз. После подбора по частоте, производим выбор по допустимой мощности, иными словами ток коллектора транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи. Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное прикладываемое к транзистору напряжение в любой момент времени. Коэффициент усиления: известно, что ток коллектора у биполярного транзистора с током базы связан через параметр h21. Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в h21. Из этого можно сделать вывод, что лучше применять транзисторы значение этого параметра у которых как можно больше. Это позволит повысить КПД за счет снижения затрат на управление транзисторами, да и потом, транзистор с большим значением этого параметра проще ввести в режим насыщения. Далее чтобы меньше мощности потерять на транзисторе (при этом он будет меньше греться), нужно чтобы его напряжение насыщения (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) было как можно меньше, ведь мощность выделяемая на транзисторе, равна произведению тока, протекающего через него, и падению напряжения на нем и еще, максимальная мощность рассеяния коллектора (приводится в справочнике) должна быть не меньше реально выделяемой, иначе транзистор не справится (мгновенно выйдет из строя). В статье «Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена» я уже описывал приемы замены транзисторов .

Полевые транзисторы.

Преимуществ перед биполярными у них много, а самое главное, цена ниже. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов, на мой взгляд следующие:

1. Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
2. В полевых транзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
3. Повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока.

Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число полевиков без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассиметрирования токов, что очень опасно для биполярных транзисторов. Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.

Что касается подбора транзисторов для замены , то порядок примерно тот же самый, т е быстродействие затем мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярных, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь это выбрать гораздо проще, т к полевые транзисторы имеют довольно большие допустимые токи стока и их разнообразие очень большое, чего не скажешь про биполярные — биполярные транзисторы с током коллектора больше 20 А, это уже редкость. Полевые транзисторы не имеют напряжения насыщения, у них есть аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до 150 В оно составляет десятки миллиом, у более высоковольтных — омы. Чем меньше значение этого сопротивления, тем ближе параметры транзистора к идеальным и тем меньше потери. Мощность потерь (рассеяния) в открытом состоянии определяется как квадрат тока умноженный на сопротивление открытого канала. Естественно, чем меньше будет это значение, тем меньше будет транзистор греться. Аналог параметра h21 у полевого транзистора это крутизна характеристики. Этот параметр связывает между собой ток стока и напряжение на затворе, иными словами ток стока определяется как произведение напряжения на затворе и крутизны характеристики транзистора. Как правило ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики. Еще у этого вида транзисторов есть так называемое порговое напряжение на затворе — это минимальное значения управляющего напряжения достаточное для введения транзистора в абсолютно открытый режим (насыщение). При подборе необходимо учитывать, чтобы минимальное напряжение на затворе не было ниже порогового, иначе вся мощность будет выделяться на транзисторе а не на нагрузке, т к он не полностью открыт. Такой режим работы, как правило, транзисторы не выдерживают — после включения выгорают с небольшой (или большой) задержкой. Параметр мощность рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный для полевого — мощность рассеяния стока. Параметры абсолютно идентичны.

Активней пользуйтесь справочниками и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.

Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, "logic-level", полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

Как может выглядеть полевый транзистор

Рис.2
Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3.
Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Рис.3
Корпус типа SO-8.
Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Рис.4
SuperSO-8, оно же – TDSON-8. Отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Рис.5
IPAK. Другое название – TO-251-3. По сути – полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат

Рис.A Первый вариант, один N-канальный транзистор.

Рис.B
Второй, два N-канальных транзистора.

Рис.C
Третий, N-канальный плюс P-канальный транзисторы в одном флаконе.

Рис.D
Корпус типа LFPAK или SOT669.
Частный случай корпуса SO-8 с одним N-канальным транзистором, где ножки с 5"ой по 8"ю заменены на теплоотводный фланец. На данный момент замечен только на видеокартах.

Как правило на место прибора в корпусе D²PAK без проблем ставиться аналогичный но в корпусе DPAK.

При определенной сноровке можно на посадочное место под DPAK "раскорячить" D²PAK, хотя выглядеть будет не эстетично.

LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать прибор в полностью аналогичном корпусе.

Где может использоваться полевый транзистор

Выше мы договорись что рассматриваем только подсистему питания, посему вариантов немного:

• Импульсный преобразователь напряжения.
• Линейный стабилизатор напряжения.
• Ключ в цепях коммутации напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим оную на примере. Пускай, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

20A. Буковка N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке полевика Rds, а не максимальный ток.

IPP15 N03 Vds=30V Rds=12.6mΩ >IPB15 N03 L – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ >SPI80 N03 S2L-05 – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ >NTD40 N03 R – On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
STD10 PF06 – ST STripFET™ II Power P-channel MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX – или Rds, или Id Y – тип канала ZZ – Vds

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

• Vds – Drain to Source Voltage – максимальное напряжение сток-исток.
• Vgs – Gate to Source Voltage – максимальное напряжение затвор-исток.
• Id – Drain Current – максимальный ток стока.
• Vgs(th) – Gate to Source Threshold Voltage – пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
• Rds(on) – Drain to Source On Resistance – сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
• Q(tot) – Total Gate Charge – полный заряд затвора.

Хочу обратить внимание что параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

Степень критичности параметров в разных применениях

• Vds, Vgs – параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.

• Id – параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.

• Vgs(th) – имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)

• Rds(on) – от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше – тем лучше . ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)

• Q(tot) – влияет на время перезаряда затвора, и соотвественно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше – тем лучше .

Документ от Fairchild Selection of MOSFETs in Switch Mode DC-DC Converters – рекомендации по подбору (а значит и замене) MOSFETs.

За изобретение этого компонента учёные-физики получили Нобелевскую премию, благодаря чему была совершена революция в появлении интегральных схем и компьютеров. Транзисторы используют для управления током в электрической цепи. Они могут усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Для увеличения выходного тока и напряжения эти приборы применяют в области цифровой связи, в процессорах, цифровой технике. Используют полевые (униполярные) и биполярные приборы.

Транзисторы различаются по частоте (низко- и высокочастотные), по мощности, по материалам (германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые, получаемые путём соединени галлия и мышьяка). В матрицах дисплеев на данный момент используют приборы на основе прозрачных полупроводников, предполагается в скором времени применять полупроводниковые полимеры.

У радиолюбителей иногда возникают трудности с заменой зарубежных, в частности японских, транзисторов. В бытовой технике используется большое количество различных приборов полупроводникового типа. Больше всего производят биполярных транзисторов (обратной и прямой проводимости). Их выпускает электронная промышленность в странах Северной Америки, Европы и Япония. На корпусах приборов можно встретить маркировку, одинаковую для Японии и Южной Кореи.

В зависимости от сложности предстоящего ремонта аппаратуры, можно рассмотреть общие подходы к замене транзисторов. В первом случае на корпусе транзистора есть маркировка, по которой определяется его тип, и этот прибор можно приобрести по небольшой цене на обычном рынке радиоприборов. В более сложном случае тип прибора легко определить, но трудно приобрести в силу дороговизны или отсутствия на отечественном рынке. В сложных случаях не возможно определить тип прибора или отсутствует инструкция по его эксплуатации.

Трудность заключается в том, что зачастую приходится заменять мощные импульсные транзисторы зарубежного производства отечественными аналогами, которые не всегда соответствуют всем необходимым параметрам. Например, трудно подобрать прибор в компактных корпусах и корпусах, сделанных из пластмассы, пластика. Но с лёгкостью можно подобрать отечественную замену приборам типа ТО-3 в металлическом корпусе. Важно учитывать размеры прибора, они должны совпадать.

Правильная замена прибора происходит при соблюдении соответствия изоляции двух вариантов (поломанного и купленного), способ соединения коллектора с пластиной корпуса, которая отводит тепло.

Если прибор, требующий замены, снабжён корпусом, обеспечивающим изоляцию, а его аналог имеет лишь в креплении пластиковую втулку, то устанавливаем для защиты прокладку из фторопласта или слюды. Фторопластом делают первичную обмотку высоковольтных проводов благодаря высокой способности к изоляции тока. Может понадобиться изолировать винт крепления, если нет изоляции втулки. Важно помнить при замене прибора, что транзисторы в металлическом корпусе лучше выполняют теплоотвод, чем их аналоги в пластмассовом корпусе.

При замене прибора вначале определитесь, какие параметры наиболее важны для данной техники, и руководствуйтесь ими в выборе заменителя. Для этого нужно иметь конкретные представления о схемах и параметрах включении транзистора. В ремонте чаще всего приходится заменять приборы для бытовой техники, видеомагнитофонов, телевизоров (выходные каскады импульсных блоков питания).

Для бытовой техники лучше всего подходят высокочастотные транзисторы . По указаниям на приборе можно определить, как изолирован корпус, насколько шумно работает прибор, где его использовать (например, для средств связи применяют тип G). Но в приборах со встроенными резисторами, диодами и прочими модификациями маркировка может отличаться от общепринятой. Так фирмы NEC и TOSHIBA имеют собственные обозначения высоко- и низкочастотных транзисторов.

Поломка полупроводникового прибора может произойти из-за перегрузок, колебаний напряжения в сети. Поэтому нужно искать замену с защитными резисторами, диодами, учитывать уровень сопротивления. Чтобы корпус не перегревался и не произошла повторная поломка, нужен быстродействующий прибор.

Когда заменяем транзистор, нужно учесть коэффициент передачи по току, рабочее напряжение на коллекторе прибора. Желательно, чтобы замена не была худшего качества, чем оригинал. Или включить параллельно несколько приборов меньшей мощности, но одного типа. При ошибке в установке аналога может происходить перегревание системы.

Полевые транзисторы заменить труднее, нежели биполярные. Их разновидностей меньше, а параметры значительно различаются. Выделяют два основных типа: с изолированным затвором и с р-n переходом. На этих приборах базируется вся современная цифровая техника. Их изготавливают на кристаллах кремния и применяют для построения схем процессора, памяти, логики. Однако кремниевые транзисторы обычно не работают при напряжениях выше 1 000 вольт.

Идет заблужденце что биполярники лучше менять на полевые.И чем лучше?

Преимущество полевого транзистора в том, что он имеет высокое входное сопротивление, и управляется он не током а напряжением, что приближает его скорее к радиолампе, чем к транзистору.

Есть сообщения, в этом форуме тоже, что в драйверах УМ и в собственно УМ, меняют, допустим 2sc1969 на rd16

БЕЗ ИЗМЕНЕНИЯ обвязки – один к одному!!

Какие будут мнения, опыт замены и т.п. информация.

Шутники-однако ;-)!
Цепи смещения в любом случае необходимо корректировать, если не стоит задача загнать каскад в режим "С".
Усиления каскада вполне хватает не изменяя коэффициента трансформации в биноклях (количество витков).

Это я забыл, виноват, погорячился, – на затвор во всех случаях подают напряжение с потенциометра – задают рабочую точку (ток покоя).

Остальное – входной трансформатор, например – без изменений.

Трансформатор можно не трогать.

Что, входные сопротивления каскадов на БT и ПТ – одинаковы? Из-за глубокой ООС, что-ли?

Если ток потребления полевым транзистором (в оконечном каскаде УМВЧ) такой же как и у биполярного, то выходной трансформатор остаётся без изменения.

Это понятно – он определён сопротивлением нагрузки оконечного каякада – т.е. мощностью при заданном напряжении питания.

А вот с трансформатором по входу – надо смотреть по схемотехнике. Если транзистор

В этом и была суть моего вопроса. Однако утверждается, ссылаясь на многократную практику – не надо менять. И уменя сомнения. Ведь надо сохранить сопротивление нагрузки драйвера.

Речь в теме идёт о драйвере оконечного каскада!

Да, о согласовании драйвера с иным входным сопротивлением оконечника после замены БТ на ПТ.

"Проверено электроникой"- работает! Появляется неравномерность, уменьшается усиление, но каскад остаётся рабочим.

Ага, всё-таки есть различия!!

Ясненько-понятненько.
А rd16, к примеру, не подделывают?

Мне едут из Китая 2sc1969 – массовые от сибишек (5 шт вместо необходимых 2-х) на замену недоставаемых 2sc2509. Бум надеяться на рабочую подделку. Надо овса Году Лошади поставить.

Допустим для согласования 50ом с бполярным транзистором с входным сопротивлением 100 ом имеем трансформатор 1:2:2 (50:100:100 ом). Вот и посчитайте какой должен быть коэфф.тр при входном сопротивлении полевого транзистора хотя бы 1 Мом. Как будете мотать такое количество витков и на каком сердечнике?
Это что за биполярный транзистор, который имеет входное сопротивление 100 ом:oops:?
Вы же в курсе, что согласование в таких каскадах идёт на единицы ом;-), а в полевых? Там ещё ой как многоО факторов согласования.
Что бы такие опусы больше не писать зазря, не терять драгоценное время, желательно поконкретнее.
А то что современные полевые транзисторы стали надёжнее биполярных- это факт.

Добавлено через 5 минут(ы):

Нет ну были бы они дешевые базвра нет стоят почти также и нафик мараковать.
А где их взять?

То Gene RZ3CC
Не надо путать спец БТ с бытовушными ПТ и комерцию с радиолюбительством. В спец ПТ (имел с ними возможность работать) между стоком и истоком не было ни какой разницы. Что касается линейности . То по сравнению с ГУ-34 в УМ и ГУ-33 в драйвере, айкомовские лампочки стоят в очредь за тухлой селедкой. В том числе и транзисторы.

Добавлено через 10 минут(ы):

PS.
Если брать транзисторы, то многое зависит от схемотехники. В схеме УМ (по наводке Полякова) по схеме управляемого мощного автогенератора на полевом транзисторе мне удалось получить IMD = не хуже 70дБ.

В чем проблема? Входное сопротивление каскада на полевом транзисторе высокое. Поставьте в цепь затвора расчетное сопротивление, равное выходному сопротивлению согласующего тр-ра, создайте на нем падение напряжения, необходимое для нужного тока покоя и все.. Или включите его с блокировкой по ВЧ в цепь установки тока покоя. Цепь ООС также влияет на входное сопротивление каскада.

Добавлено через 11 минут(ы):

Есть и "минус" замены транзисторов в драйвере с биполярных на полевые. Если в стационаре это допустимо, в походном варианте это не очень хорошо. Дело в том, что ток покоя достаточный для биполярных транзисторов порядка 30 -80 мА, в схеме с полевыми приходится увеличивать раз в десять: до 300 – 800 мА.

А как тогда быть с драйверами в шпионских "микро жучках"? Ведь там каждый микроампер на учете.

Добавлено через 10 минут(ы):

Так в таких УМ, поняие "уровень ИМИ", просто не должно существовать. Как например, для простого тонального сигнала. Просто один тон.
С каких это пор это SSB стал однотональным:ржач:? Для начала почитайте статью В.Т. Полякова в журнале Радио №4 за 1984г стр.14. Если разберетесь тогда и можно будет по дискутировать как это реализуется на практике.

А кто Вам сказал что я снимаю с драйвера 10Вт? А я- снимаю. :super:

И при чем тут такая мощность? А при том, что я этим драйвером оконечник запитываю. Вы, похоже, услышали звон, да не поняли, где он. lol:Вот сюда http://v__e_3kf.build2.ru/viewtopic.php? >

Для начала почитайте статью В.Т. Полякова в журнале Радио №4 за 1984г стр.14. Если разберетесь
А вы то сами разобрались? И что это за УМ, на основе автогенератора. И откуда там такие характеристики по ИМИ, на достаточно посредственных транзисторах.

Поставьте в цепь затвора расчетное сопротивление, равное выходному сопротивлению согласующего тр-ра, создайте на нем падение напряжения, необходимое для нужного тока покоя и все.
И получите весьма посредственных характеристики по линейности. Плюс, входной импеданс такого каскада, будет довольно сильно меняться от частоты. Если же резистор поставить в цепь ООС, а а на массу резистор с номиналом 1 кОм или поболее, то входное сопротивление будет уже определяться резисторами сигнал-затвор/выход затвор. И при той же мощности раскачки мы получим гораздо более линейную АЧХ, почти активное входное сопротивление в гораздо более широком диапазоне частот, ну и более высокую линейность. Вы посмотрите все современные схемы линейных УМ. Они именно так и строятся.

Дело в том, что ток покоя достаточный для биполярных транзисторов порядка 30 -80 мА, в схеме с полевыми приходится увеличивать раз в десять: до 300 – 800 мА
А вы попробуйте сравнить транзисторы именно предназначенные для линейного усиления. Например, для MRF 150, уровень линейности нормирован при токе покоя порядка 200 ма. Что они там обеспечат при большем начальном токе, в справочнике не оговорено.

Полевик он как лампа высокое входное и т.д.. Не мешает добавлять- высокое входное на низких частотах. 😉 Понятно, что побольше, чем у биполярного, но, явно поменьше, чем у лампы.

Это новый тип транзистора Пойду за цилькуляторами. рж ач:

Добавлено через 29 минут(ы):

Что, входные сопротивления каскадов на БT и ПТ – одинаковы? Из-за глубокой ООС, что-ли?

Промоделировать, что-ли. Почти под ноль выводятся входные сопротивления, приведённые что к затвору, что к базе, в мощных усилителях, фактически, с достаточной для практики точностью, входное сопротивление определяется последовательным резистором от вторичной обмотки трансформатора драйверера к базе (затвору). Понятно, что если у полевика снять параллельную ООС, то входное сопротивление резко вырастет, но по жизни, для удерживая ровной АЧХ хотя бы в диапазоне 1..30 МГц, и более- менее приемлемых искажений, приходится её вводить довольно сильной. Мне, например, для поддержания указанного компромисса, приходилось делать усиление по мощности двухтактного оконечника в классе АВ не более 15 раз.

Я вижу схему ЧМ модулятора, с обратной связью. Вы мне ещё расскажите, что это, пригодно для усиления SSB сигнала. Насколько я помню, должны ещё присутствовать цепи, отслеживающие мгновенную амплитуду сигнала
Этот скрин и текст из той статьи. Надеюсь что поняли.

Добавлено через 16 минут(ы):

Пойду за цилькуляторами. рж ач:Только не на работу где признают только ГОСТы и что скажет военпред, а в библиотеку за книгой "Мощные высокочастотные транзисторы" Москва издатеоьство "Радио и связь"Для начала Вам и этой ссылки хватит. В той схеме что я выложил для раскачки до 10 Вт достаточно на вход двухзатворника подать максимум 20мвт. тоже самое и для УМ наполевике на 40Вт. Для Ваших100 Вт надо 10 Вт. это первое преимущество.

Свои цифры закрыл, чтобы Вы не списывали у меня. lol:
Пить пью пока здоровья хватает, но чтобы колоться, извинте это не ко мне.

RK4CI был прав. Трудно угадать что Вы в следующем посте из рукава выбросите. И вот тому первый пример.

Третий сейчас US7AW Mihail, дорисует, чтобы впридачу к цепи автоподстройки частоты, ещё и выходной амплитудой управлять в своём автогенераторе. lo l:

Второй пример. Интересно, из какой штанины Вы выбросили подкидную схему УМ что нарисована вот здесь http://www.cqham.ru/forum/attachment.php?attac hment > И вот последний пример

От это круто! Допотопный советский полевик, легко делает современные импортные транзисторы, имея усиление на 30 МГц 27 дБ по мощности, да ещё и почти при максимальном выходе! Вы бы хоть думали немного. :bad: Это даже в узкополосном варианте не реализуемо. Считайте снова- двойка Вам.
При чем тут допотопный советский полевик. когда проверялись все полевики в том числе и современные. Какая разница как я получу усиление путем синтеза или усиления. Вы когда в садик ходили слышали что такое DDS или DSP? Давать оценки тому что я пишу свойственно только тугодумам. Тормоз для чегото нового он и в африке тормоз.

Почти под ноль выводятся входные сопротивления, приведённые что к затвору, что к базе, в мощных усилителях, фактически, с достаточной для практики точностью, входное сопротивление определяется последовательным резистором от вторичной обмотки трансформатора драйвера к базе (затвору). Понятно, что если у полевика снять параллельную ООС, то входное сопротивление резко вырастет

Всё верно. Входное сопротивление каскада УМ (или драйвера) определяется в подавляющей степени цепями обратной связи при почти бесконечном входном сопротивлении самих полевых транзиторов. И имеют порядок сопротивления близкий к вх сопротивлению каскадов на БТ. И практика показывает, что это действительно так. По крайней мере – близко.

При чем тут допотопный советский полевик. А при том, что у Вас он давал усиление 27 дБ при 40 Ваттах на выходе и на 30 МГц. ржач:
для раскачки до 10 Вт достаточно на вход двухзатворника подать максимум 20мвт. тоже самое и для УМ наполевике на 40Вт.
А это

свойственно только тугодумам 😆

А при том, что у Вас он давал усиление 27 дБ при 40 Ваттах на выходе и на 30 МГц. ржач:
А это

😆
Откуда Вы взяли усиления 27дб если речь идет об автогенераторе. Я схему такого усилителя выкладывал? Мой УМ представляет собой обычный генератор как и в обычном трансивере. но только на мощных БТ или ПТ с напряжением питания до 100В (ограничено параметрами по дататышу). В этом генераторе есть только один вход, это управляющее напряжение на варикапы, мощность которого зависит только от параметров варикапа определяющего диапазон перестройки, а точнее полосы захвата. То есть мы имеем тот же синтезатор. ОС по амплитуде пока рассматривать нет смысла. Метод уже выкладывал. Опробована куча БТ и ПТ транзисторов. Самый лучший вариант по ИМД дал КП909. Выходная мощность меня мало интересовала. Я занимаюсь проектом по снтезу приема и передаче около 10 лет и высказал свое мнение в пользу ПТ. А Вы тут не разобравшись придумывать всякую ерунду. Ваш УМ на КТ956 но с другим драйвером на который Вы давали ссылку я тоже собирал, но инфо брал с другого источника когда еще небыло интернета.:ржач: Если ващих знаний хватило только что бы выжать с него по ИМД 30 дб, то против этого я ничего не имею и не собираюсь Вас критиковать или хвалить. Все реклама по ТВ кончилась, пошел дальше фильм смотреть.

Откуда Вы взяли усиления 27дб если речь идет об автогенераторе. Речь шла о том, что Вы предложили мне определить, какую мощность надо подать на КП904, чтобы снять с него 40 Вт. Я посчитал, спросил, сколько получилось у Вас. Вы написали то, что написали. :ржач: Если это не ответ на мой вопрос, то значит, есть два варианта- либо я не владею в совершенстве русским языком, либо же Ваше косноязычие и неумение излагать свои мысли на языке данного форума, сыграли с Вами злую шутку. 😉 Полагаю, что, как раз, последний вариант наиболее правдоподобен. ржа ть:

Если ващих знаний хватило только что бы выжать с него по ИМД 30 дб, то против этого я ничего не имею и не собираюсь Вас критиковать или хвалить. Да, моих знаний хватило только на то, чтобы обеспечить коэффициент усиления по мощности в оконечном каскаде порядка 12, выходную мощность 100 Вт, и интермодуляцию на пике огибающей не более -30 дБ. При введении ООС по огибающей я получал цифры, мягко говоря, получше. Если Вы готовы мне дать рекомендации, каким образом я без введения экзотики смогу получить с пары 956 лучшие параметры по интермодуляции, при сохранении прочих, с удовольствием выслушаю.

Все началось с Вашего поста #35. Что касается вопроса. Если бы сразу ответили на мой вопрос в посте №36 сразу, а не задавали встречно, не былобы и последующих постов в том числе и этого. Все финиш, Разойдемся красиво. Спокойной ночи.

Добавлено через 14 минут(ы):

Если Вы готовы мне дать рекомендации, каким образом я без введения экзотики смогу получить с пары 956 лучшие параметры по интермодуляции, при сохранении прочих, с удовольствием выслушаю.
На сколько помню вводил еще одну ОС (последовательно RCL) с колекторов на первичную обмотку входного трансформатора. В той схеме ОС заведена только на базу. Успехов.

Можно ли в этой схеме заменить биполярный транзистор на полевой? Если можно, то как?

С4 куда дальше на масу

Толщина пакета и ширина язычка

А то гугл мне только усилки ламповые предлагает на запрос

12 комментариев

• Comments 12
• Pingbacks 0

всмысле биполярный на полярный)))

модет ты имел в виду мосфет?

может ты имел в виду гетерополярный, или гомополярный?

конечно ставь, если найдешь такой!

полевиком то можно, но резистор шунта уже не 33 Ома будет, а как минимум 100, и тепла на нем пропорционально на дофига больше. И входное напряжение поднимать нужно. Вобщем одни расходы дополнительные

А сам понял что сказал?

Нафига? Ставь как есть?

Андрей, полностью поддерживаю , напряжение на входе поднять ( 2-3вольта ) резистор с 33 поднять до 100 ом ( мощность побольше ) транзистор — IRFP 9140 N

извиняюсь, перепутал слова, не полярный, а полевой транзистор

Айрат, да все поняли , ….. ну а кто не понял… тот и не понял ))))

в подобных схемах полевые транзисторы всеравно будут работать в линейном режиме, поэтому менять можно (с некоторыми оговорками), а работать схема лучше/хуже не станет